Manuale d’uso / di manutenzione del prodotto 3SK318 del fabbricante Renesas
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Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7 3SK318 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier REJ03G0819-0200 (Previous ADE-208-6 00) Rev.2.00 Aug.10.2005 Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross m odulation c haracteristics • Capable low v oltage operati on; +B= 5V Outline 1.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 7 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ° C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage V DS 6 V Gate1 to source voltage V G1S ±6 V Gate2 to source voltage V.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 7 200 150 100 50 0 50 100 150 200 Channel Power Dissipation Pch (mW) Ambient Temperature Ta ( ° C) Maximum Channel Power Dissipation Curve 0 24 6 8 10 V G2S = 3 V Drain to Source Voltage V DS (V) Drain Current I D (mA) Typical Output Characteristics 4 8 12 16 20 0.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 4 of 7 5 4 3 2 1 0 51 0 1 5 2 0 25 25 20 15 10 5 0 24 6 8 1 0 Drain Current I D (mA) Noise Figure NF (dB) Noise Figure vs. Drain Current Power Gain vs. Drain to Source Voltage Power Gain PG (dB) Drain to Source Voltage V DS (V) V DS = 3.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 5 of 7 V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA 10 5 4 3 2 1.5 1 .8 –2 –3 –4 –5 –10 .6 .4 .2 0 –.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 6 of 7 S Parameter (V DS = 3.5V, V G2S = 3V, I D = 10mA, Zo = 50 Ω ) S11 S21 S12 S22 Freq. (MHz) MAG. ANG. MA G. ANG. MAG. ANG. MAG. A NG. 50 1.000 –2.8 2.41 176.3 0.00068 89.1 0.999 –2.2 100 0.998 –5.8 2.41 171.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 7 of 7 Package Dimensions A S M x S y e e 2 b 1 A EH E L L 1 Q c D B B b AA b 1 b 3 c 1 c B-B Section Pattern of terminal position areas b 4 l 1 b 5 l 1 e 1 e 2 e A 3 L P S A A 2 A 1 A A 1 A 2 b b 1 c c 1 D E e H E L L P x y b 4 e 1 l 1 Q 0.
Keep safety first in your circuit designs! 1. Renesas Technology Corp. puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property damage.
Un punto importante, dopo l’acquisto del dispositivo (o anche prima di acquisto) è quello di leggere il manuale. Dobbiamo farlo per diversi motivi semplici:
Se non hai ancora comprato il Renesas 3SK318 è un buon momento per familiarizzare con i dati di base del prodotto. Prime consultare le pagine iniziali del manuale d’uso, che si trova al di sopra. Dovresti trovare lì i dati tecnici più importanti del Renesas 3SK318 - in questo modo è possibile verificare se l’apparecchio soddisfa le tue esigenze. Esplorando le pagine segenti del manuali d’uso Renesas 3SK318 imparerai tutte le caratteristiche del prodotto e le informazioni sul suo funzionamento. Le informazioni sul Renesas 3SK318 ti aiuteranno sicuramente a prendere una decisione relativa all’acquisto.
In una situazione in cui hai già il Renesas 3SK318, ma non hai ancora letto il manuale d’uso, dovresti farlo per le ragioni sopra descritte. Saprai quindi se hai correttamente usato le funzioni disponibili, e se hai commesso errori che possono ridurre la durata di vita del Renesas 3SK318.
Tuttavia, uno dei ruoli più importanti per l’utente svolti dal manuale d’uso è quello di aiutare a risolvere i problemi con il Renesas 3SK318. Quasi sempre, ci troverai Troubleshooting, cioè i guasti più frequenti e malfunzionamenti del dispositivo Renesas 3SK318 insieme con le istruzioni su come risolverli. Anche se non si riesci a risolvere il problema, il manuale d’uso ti mostrerà il percorso di ulteriori procedimenti – il contatto con il centro servizio clienti o il servizio più vicino.
